Имя проректора Талдыкорганского университета внесено в энциклопедию «Известные ученые России»

Сообщается, что Марат Жабыкбаевич Мальтекбасов родился 8 марта 1958 года в Капальском районе Талды-Курганской области. В 1981 году окончил ТИАСУР - Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники.

После окончания института молодого специалиста пригласили работать в Талдыкорганский педагогический институт им. И. Жансугурова. Здесь Марат Жабыкбаевич прошел практически все ступени роста – работал старшим лаборантом, преподавателем, стажером-исследователем кафедры физики и методики преподавания физики, деканом инженерно-экономического факультета.

В 1998 году решением ВАК РК ему присвоено ученое звание доцента.

Как рассказал М.Бисенкулов, Марату Мальтекбасову удалось открыть эффект биполярной фотопроводимости и эффект биполярного дрейфа.

«Нобелевские лауреаты Мотт и Дэвис считали, что в стеклообразных полупроводниках присутствует только один тип носителей - с положительным зарядом. Марат Жабыкбаевич сделал сенсационное открытие: изменяя способ получения мышьякосодержащих аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников, можно помимо носителей с положительным зарядом оживить носителей с отрицательным зарядом. Таким образом, была доказана возможность получения биполярных полупроводников с эффектами дрейфа и проводимости», - рассказывает М.Бисенкулов.

По мнению профессора ЖГУ, область практического использования открытий М.Мальтекбасова сегодня велика. Пленки различной площади, получаемые по его методу, могут использоваться при создании солнечных батарей и материалов с оптической памятью. Воздействуя на халькогенидные стеклообразные полупроводники оптическим лучом, можно заносить на пленки и стирать с них любую информацию.

«Оптическая память пленок велика, также велики возможности их использования в различных сферах материального производства, особенно в век высоких технологий», - считает коллега ученого.

Иса МОКЕЙ, фото автора